功率半導體雪崩耐量測試系統是針對雪崩能量測試臺，是針對半導體器件 IGBT、二極管、MOS 等設計的測試設備 儀器，對于那些在應用過程中功率器件兩端所產生較大的尖峰電壓，就要考慮 器件的雪崩能量耐受，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因 此對于反激的應用，電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率 器件都會電壓降額， 從而留有足夠的電壓余量。

BW-UIS-3500

雪崩耐量測試系統

雪崩能量測試臺，是針對半導體器件 IGBT、二極管、MOS 等設計的測試設備 儀器，對于那些在應用過程中功率器件兩端所產生較大的尖峰電壓，就要考慮 器件的雪崩能量耐受，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因 此對于反激的應用，電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率 器件都會電壓降額， 從而留有足夠的電壓余量。但是，一些電源在輸出短路 時，初級中會產生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能， 因此在這樣的應用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機的 負載是感性負載，而啟動和堵轉過程中會產生極大的沖擊電流，因此也要考慮 器件的雪崩能量。 ? 該設備儀器是專門測試 IGBT、MOS 及二極管的雪崩耐量，能夠準確快速測試 出它們的雪崩耐量，該設備主要包組成單元有：可控直流電源、可選電感、電 流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT 功率型器件、IGBT 功率型器件 保護電路、計算機程控系統、雪崩電壓采集系統、雪崩電流采集系統、測試標 準適配器等   。  

技術指標：

>  浪涌電流（IFSM/ITSM）調節范圍：0.30～3.60kA

>  分辨率0.01kA，精度±3%±0.01kA

>  電流波形：正弦半波，底寬10ms

>  測試頻率：單次

>  反向電壓（VRRM）調節范圍：0.20～2.00kV，分辨率0.01kV，精度±5％

>  反向電壓測試頻率：50Hz；

>  反漏電流（IRRM）測試范圍；1.0～100.0mA，分辨率0.1mA，精度±5％±0.1mA

工作方式：

>  由觸摸液晶屏設定浪涌電流大小、反向電壓值及反向漏電流保護值

>  按測試按鍵后設備自動完成測試

外形尺寸：

>  600×800×1900×1（寬×深×高×并柜數，單位：mm）

系統說明：

>  上述設備配置輸出及測試線,但不含測試用“夾具”。該“夾具”用于滿足元件按照標準進行測試時所要求的溫度和壓力測試條件。

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