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快速熱處理或快速熱處理(RTP/RTA)是一種半導體制造工藝，它提供了一種快速加熱樣品到高溫的方法，以便在幾分鐘的時間尺度上執行短過程。這種快速加熱速率是由測量樣品溫度的高溫計和熱電偶控制的強度燈(例如近紅外光源-鎢鹵燈)實現的。冷卻也需要控制，以防止位錯和樣品斷裂。快速熱處理起初是為離子注入退火而開發的，但已將其應用范圍擴大到氧化、硅化物形成、化學氣相沉積和應用，如修改元素、化合物或合金的晶體相以增強性能、晶格界面或應力松弛。RTP是一種靈活的技術，可提供快速加熱和冷卻，加工溫度約為200-1300°C，斜坡速率通常為20-200°C/秒，結合優異的氣體環境控制，允許在一個加工配方中創建復雜的多階段工藝。

在這個過程中，半導體制造中使用的硅晶片在幾秒鐘的時間內被加熱到1000攝氏度(1832華氏度)以上的溫度。微量氧的測量是保證產品質量的關鍵。快速熱加工是半導體制造中的一項關鍵技術，通過使用強度燈或激光，可以更快地處理硅晶圓。然后仔細冷卻晶圓片以防止熱沖擊。快速熱過程用于各種半導體制造應用，包括摻雜劑活化，熱氧化，金屬回流和化學氣相沉積。我們使用值得信賴的技術，包括質譜和氧化鋯，提供經過現場驗證的分析解決方案。具有快速響應能力，這些分析儀提供污染物的快速檢測，以確保產品質量。

硅片在傳輸過程中、升降舟（進出反應室）前后過程中，會受到設備內部氣氛中氧分子的影響，導致非必要氧化層的產生，造成硅片的品質降低甚至報廢現象。因此，通常需要采取氧氣（O2）分析儀和氣體質量流量控制器來閉環控制和降低設備內部氣氛中的含氧量。同時，為避免微氧控制過程中氣氛壓力超出安全范圍，一般采用了基于PLC的閉環控制模型來控制氣氛中的壓力，確保微氧控制良好情況下壓力系統的可靠運行。

SenzTx101氧儀器

微氧控制是半導體立式爐、氧化爐、擴散爐、退火/推進設備的關鍵性能指標。愛爾蘭Ntron恩特龍的SenzTx101/Microx-231氧氣分析儀采用螺紋或法蘭安裝，采用長壽命的氧化鋯氧傳感器技術，量程0-100PPM，0-1000PPM，也可以選擇1ppm-25%量程的氧含量監測范圍，響應快，精度高，長期穩定性好，使用壽命長，特別適合半導體氧化/退火爐的工況。目前已經在國內主要半導體設備廠商批量使用，是一款可靠、有效的產品。