設備名稱：MRC643真空濺射鍍膜機
設備品牌：美國MRC
設備規格：MRC643
設備介紹：
MRC643采用*的立式結構設計及特殊結構的陰極，可實現高濺射，膜厚均勻性和高靶材有效使用率，從研發應用到大批量生產，可沉積介質膜、金屬膜等，主要用于集成電路制造、平板顯示器、光刻掩膜版、通訊網絡、化合物半導體器件、射頻功率器件和光電子器件等。
本系統可分為預真空室、濺射區域、RF離子清洗，預真空室具

設備名稱：MRC643真空濺射鍍膜機

設備品牌：美國MRC

設備規格：MRC643

設備介紹：

MRC643采用*的立式結構設計及特殊結構的陰極，可實現高濺射，膜厚均勻性和高靶材有效使用率，從研發應用到大批量生產，可沉積介質膜、金屬膜等，主要用于集成電路制造、平板顯示器、光刻掩膜版、通訊網絡、化合物半導體器件、射頻功率器件和光電子器件等。

本系統可分為預真空室、濺射區域、RF離子清洗，預真空室具有基片承載盤升降機，使得裝卸基片和濺射工藝同時進行，從而實現 “in-line”連續在線工作方式。12”x12”尺寸的基片承載盤，可放置不同尺寸及形狀的基片。9個4” 基片/次，6個6” 基片/次，1個12” 基片/次。