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基質輔助脈沖激光沉積系統系統技術指標:
大襯底尺寸
One 2-inch diameter substrate or multiple small samples. Larger substrates and custom substrate holders are available on request.
大襯底溫度:300°C typical, but other heaters are available.
MAPLE靶材溫度: -194°C (80 K)
壓力操作范圍:Base pressure depends strongly on polymer/solvent mix and the solvent vapor pressure
MAPLE靶材尺寸:Single 1.5” diameter target standard, larger targets available on request.
靶材到襯底(Throw) 距離:Variable from 2.5 to 4 inches
光柵路徑長度:Across complete MAPLE target
基質輔助脈沖激光沉積系統標準的激光束射向靶材入射角度:60°
主腔體本底真空:P < 5 x 10-7 Torr guaranteed with system at room temperature and no polymer/solvent mix.
真空腔體:Box style chamber with easy substrate / target changes.
激光波長:2.9 microns (Er:YAG laser), other lasers/wavelengths available on request.
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*光刻機(Mask Aligner)、勻膠機(Spin Coater)、深能級瞬態譜儀(DLTS)等;
*電子束蒸發系統(E-Beam Evaporation)、磁控濺射系統、脈沖激光沉積系統(PLD)、原子層沉積系統、快速退火爐(RTP)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、反應離子蝕刻系統(RIE);
*掃描開爾文探針系統(Kelvin Probe)、飛行時間二次離子質譜(TOF-SIMS);
*氣溶膠發生器、氣溶膠粒徑譜儀、氣溶膠稀釋器、濾料測試系統、煙霧發生器、空氣示蹤器等。
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