用于沉積納米級薄膜、納米粉末包覆、長深孔樣品鍍膜;具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產型ALD;具備近100種膜層工藝。應用領域：芯片封裝、半導體High-k介電層、納米涂層、3D涂層、鋰電池、催化劑、太陽能電池、5G通訊（SAW器件）、生物醫學仿生、熒光材料、OLED顯示、有機材料、電子電路、光學膜等。

用于沉積納米級薄膜、納米粉末包覆、長深孔樣品鍍膜;具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產型ALD;具備近100種膜層工藝。

• 應用領域：

芯片封裝、半導體High-k介電層、納米涂層、3D涂層、鋰電池、催化劑、太陽能電池、5G通訊（SAW器件）、生物醫學仿生、熒光材料、OLED顯示、有機材料、電子電路、光學膜等，細分及對應膜層如下：

-High-K介電材料(Al2O3,HfO2,ZrO2,PrAlO,Ta2O5,La2O3)

-導電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN)

-金屬互聯結構 (Cu WN,TaN,Ru,Ir)

-催化材料 (Pt,Ir,Fe,Co,TiO2,V2O5)

-納米結構 (All ALD Material)

-生物醫學涂層 (TiN,ZrN,TiAlN,AlTiN)

-金屬 (Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni)

-壓電層 (ZnO,AlN,ZnS)

-透明電學導體 (ZnO:Al,ITO)

-紫外阻擋層 (ZnO,TiO2)

-光子晶體 (ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5)

-防反射濾光(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5)

-電致發光器件(SrS:Cu,ZnS:Mn,ZnS:Tb,SrS:Ce)

-工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3,ZrO2)

-光學應用如太陽能電池、激光器、光學涂層、納米光子等 (AlTiO,SnO2,ZnO)

-傳感器 (SnO2,Ta2O5)

-磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3,ZrO2,WS2)

-OLED鈍化層 (Al2O3)

• 功能特點：

  -采用熱法和等離子法制備原子層納米級薄膜

  -一個循環周期小于2秒鐘

  -可以沉積有機高分子材料，實現表面親疏水性

  -可以在納米粉末或納米顆粒上沉積薄膜

  -可以在三維、不規則體、帶有長深孔（深寬比2500：1）樣品上沉積薄膜

  -可以沉積低飽和蒸汽壓材料

  -可增加在線橢偏儀和QCM檢測

  -可增加等離子體裝置

  -可擴展臭氧產生器

  -可集成手套箱設備

  -可增加Load-lock自動上下載片裝置

• 可沉積膜層：

  氧化物

  氮化物

  硫化物

  金屬/碲化物

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