MicroChem光刻膠-PMGI 負(fù)光刻膠

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公司名稱 尖豐科技（香港）有限公司
品牌
型號
所在地 香港特別行政區(qū)
廠商性質(zhì) 其他
更新時間 2024/7/8 15:55:57
訪問次數(shù) 105

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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動化，降低對人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動化，降低對人的依賴。

產(chǎn)品簡介

我也要發(fā)布產(chǎn)品信息

PMGI負(fù)光刻膠產(chǎn)品名稱：光刻膠型號：PMGI關(guān)鍵詞：MicroChem系列光刻膠PMGILOR負(fù)光刻膠使能高產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于在處理多種數(shù)據(jù)存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離

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PMGI 負(fù)光刻膠

產(chǎn)品名稱：光刻膠

型號：PMGI

關(guān)鍵詞：MicroChem系列光刻膠

PMGI & LOR負(fù)光刻膠使能高產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于在處理多種數(shù)據(jù)存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離。PMGI & LOR負(fù)光刻膠作為雙疊層光刻膠，PMGI & LOR在超出單層防腐可以延長限制剝離處理。這包括非常高的分辨率的金屬化（＜0.25µM），以及非常厚（＞4µm）金屬化。這些的材料可幾乎滿足任何客戶需要。

材料用途：金屬電梯加工，橋制造，釋放層

材料屬性：

l 覆蓋在成像抗蝕劑不會混雜

l 在TMAH雙疊層一步發(fā)展，或KOH開發(fā)

l 高熱穩(wěn)定性：Tg ~190 C

l 快速清除和常規(guī)抗剝離干凈

l 0.25µm微米雙層抗蝕成像

l 產(chǎn)量高，可用于很厚（＞3µm）金屬剝離處理

Bi-Layer Lift-Off Process	Lift-Off: An enabling, additive lithographic process.

Step 1. LOR or PMGI is coated	1. Bi-layer resist pattern

Step 2. The imaging resist is coated onto the LOR or PMGI layer.	2. Metal Deposition

Step 3. The imaging resist is exposed.	3. Clean solvent lift-off

Step 4. The wafer is developed.

Step 5. Metal Deposition

Step 6. Lift-Off!