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考夫曼離子源創(chuàng)始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美國(guó)出生, 1951年加入美國(guó) NASA 路易斯研究中心, 60年考夫曼博士發(fā)明了電子轟擊離子推進(jìn)器并以他的名字命名(考夫曼推進(jìn)器). 1969年美國(guó)航空航天學(xué)會(huì) AIAA 授予他 James H. Wyld 推進(jìn)獎(jiǎng), 1970年考夫曼推進(jìn)器贏得了IR 100 (前身研發(fā)100獎(jiǎng)), 1971年考夫曼博士獲得美國(guó)宇航局杰出服務(wù)獎(jiǎng).
2016年, 美國(guó) NASA 宇航局將 Harold Kaufman 博士列入格倫研究中心名人堂

1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)科羅拉多州的柯林斯堡創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 簡(jiǎn)稱 KRI, 研發(fā)生產(chǎn)商用寬束離子源和電源控制器. 為世界各地的高科技企業(yè),真空系統(tǒng)設(shè)備商和研究機(jī)構(gòu)提供*的解決方案. 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

KRI 離子源主要產(chǎn)品
上海伯東美國(guó) KRI 離子源是以真空為基礎(chǔ)的加工工具, 在原子水平上與材料相互作用, 適用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 等, KRI 提供無(wú)柵極離子源和柵極離子源, 類型包含考夫曼離子源, 霍爾離子源, 射頻離子源和電源控制器, 共計(jì)超過(guò) 25種規(guī)格, 累積銷售 3500+ 臺(tái)!

射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)規(guī)格:

考夫曼離子源 KDC 系列技術(shù)規(guī)格:

霍爾離子源 eH 系列技術(shù)規(guī)格:

KRI 離子源主要應(yīng)用
作為一種新興的材料加工技術(shù), 上海伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術(shù)性能, 協(xié)助您獲得理想的薄膜和材料表面性能. 美國(guó) KRI 考夫曼離子源主要應(yīng)用于真空環(huán)境下的離子束輔助沉積, 納米級(jí)的干式蝕刻和表面改性.

離子清洗和輔助鍍膜: 霍爾離子源加裝于真空腔內(nèi), 對(duì)樣品進(jìn)行預(yù)清洗和輔助鍍膜


離子清洗和濺射鍍膜: 射頻離子源加裝于真空腔內(nèi), 對(duì)樣品進(jìn)行預(yù)清洗和濺射鍍膜

在高倍顯微鏡下檢視脫膜測(cè)試

測(cè)試結(jié)果

--------- 使用其他品牌離子源---     --------------------- 使用美國(guó)考夫曼 KRI RFICP 325 離子源 ----------------------

從上圖可以清楚看出, 使用其他品牌離子源, 樣品存在崩邊的問(wèn)題; 使用上海伯東美國(guó) KRI 離子源, 樣品無(wú)崩邊

美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專, 在此領(lǐng)域中, KRI 離子源是認(rèn)的, KRI 團(tuán)隊(duì)成員撰寫(xiě)了超過(guò) 100篇文章, 出版物, 書(shū)籍和技術(shù)論文,為推進(jìn)寬波束設(shè)備和材料加工領(lǐng)域行業(yè)的知識(shí)體系做出貢獻(xiàn)!

上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源 Kaufman & Robinson, Inc  中國(guó)總代理. 美國(guó)考夫曼公司離子源已廣泛應(yīng)用于離子濺射鍍膜 IBSD. 考夫曼離子源可控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使濺射時(shí)靶材被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質(zhì)量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射工藝條件選擇 RFICP 射頻電源式考夫曼離子源或是 KDC 直流電原式考夫曼離子源.

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上海伯東：羅先生