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上海伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源簡(jiǎn)介

來(lái)源: 伯東企業(yè)(上海)有限公司    2023年07月05日 14:19  

KRI 離子源
考夫曼離子源創(chuàng)始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美國(guó)出生, 1951年加入美國(guó) NASA 路易斯研究中心, 60年考夫曼博士發(fā)明了電子轟擊離子推進(jìn)器并以他的名字命名(考夫曼推進(jìn)器). 1969年美國(guó)航空航天學(xué)會(huì) AIAA 授予他 James H. Wyld 推進(jìn)獎(jiǎng), 1970年考夫曼推進(jìn)器贏得了IR 100 (前身研發(fā)100獎(jiǎng)), 1971年考夫曼博士獲得美國(guó)宇航局杰出服務(wù)獎(jiǎng).
2016年, 美國(guó) NASA 宇航局將 Harold Kaufman 博士列入格倫研究中心名人堂
2016年, 美國(guó) NASA 宇航局將 Harold Kaufman 博士列入格倫研究中心名人堂
1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)科羅拉多州的柯林斯堡創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 簡(jiǎn)稱 KRI, 研發(fā)生產(chǎn)商用寬束離子源和電源控制器. 為世界各地的高科技企業(yè),真空系統(tǒng)設(shè)備商和研究機(jī)構(gòu)提供*的解決方案. 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.
KRI 考夫曼離子源
KRI 離子源主要產(chǎn)品
上海伯東美國(guó) KRI 離子源是以真空為基礎(chǔ)的加工工具, 在原子水平上與材料相互作用, 適用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 等, KRI 提供無(wú)柵極離子源和柵極離子源, 類型包含考夫曼離子源, 霍爾離子源, 射頻離子源和電源控制器, 共計(jì)超過(guò) 25種規(guī)格, 累積銷售 3500+ 臺(tái)!
KRI 考夫曼離子源
射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)規(guī)格:

型號(hào)

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽(yáng)極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


考夫曼離子源 KDC 系列技術(shù)規(guī)格:

型號(hào)

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

Discharge 陽(yáng)極

DC 電流

DC 電流

DC 電流

DC 電流

DC 電流

離子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

1-5 sccm

2-10 sccm

2-15 sccm

2-20 sccm

2-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

11.5 cm

17.1 cm

20.1 cm

23.5 cm

25.2 cm

直徑

4 cm

9 cm

14 cm

19.4 cm

23.2 cm

中和器

燈絲


霍爾離子源 eH 系列技術(shù)規(guī)格:

型號(hào)

eH 400

eH 1000

eH1000 xO2 

eH 2000

eH 3000

Cathode/Neutralizer 

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC
HC
HC

HC

陽(yáng)極電壓

50-300V
30-150V

50-300V
30-150V
50-300V

100-300V

50-300V
30-150V
50-250V

50-250V
50-300V
50-250V

電流

5A
10A

10A
12A
5A

10A

10A
15A
15A

20A
10A
15A

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

氣體流量

2-25sccm

2-50sccm

2-50sccm

2-75sccm

5-100sccm

高度

3.0“

4.0“

4.0“

4.0“

6.0“

直徑

3.7“

5.7“

5.7“

5.7“

9.7“

水冷

可選

可選

可選

可選


KRI 離子源主要應(yīng)用
作為一種新興的材料加工技術(shù), 上海伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術(shù)性能, 協(xié)助您獲得理想的薄膜和材料表面性能. 美國(guó) KRI 考夫曼離子源主要應(yīng)用于真空環(huán)境下的離子束輔助沉積, 納米級(jí)的干式蝕刻和表面改性.

離子清洗和輔助鍍膜: 霍爾離子源加裝于真空腔內(nèi), 對(duì)樣品進(jìn)行預(yù)清洗和輔助鍍膜
霍爾離子源輔助鍍膜

離子清洗和濺射鍍膜: 射頻離子源加裝于真空腔內(nèi), 對(duì)樣品進(jìn)行預(yù)清洗和濺射鍍膜
射頻離子源,濺射鍍膜

在高倍顯微鏡下檢視脫膜測(cè)試
上海伯東美國(guó) KRI 離子源
測(cè)試結(jié)果
上海伯東RFICP325脫模測(cè)試

--------- 使用其他品牌離子源---     --------------------- 使用美國(guó)考夫曼 KRI RFICP 325 離子源 ----------------------

從上圖可以清楚看出, 使用其他品牌離子源, 樣品存在崩邊的問(wèn)題; 使用上海伯東美國(guó) KRI 離子源, 樣品無(wú)崩邊


美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專, 在此領(lǐng)域中, KRI 離子源是認(rèn)的, KRI 團(tuán)隊(duì)成員撰寫(xiě)了超過(guò) 100篇文章, 出版物, 書(shū)籍和技術(shù)論文,為推進(jìn)寬波束設(shè)備和材料加工領(lǐng)域行業(yè)的知識(shí)體系做出貢獻(xiàn)!

上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源 Kaufman & Robinson, Inc  中國(guó)總代理. 美國(guó)考夫曼公司離子源已廣泛應(yīng)用于離子濺射鍍膜 IBSD. 考夫曼離子源可控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使濺射時(shí)靶材被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質(zhì)量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射工藝條件選擇 RFICP 射頻電源式考夫曼離子源或是 KDC 直流電原式考夫曼離子源.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東:羅先生


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