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KRi 射頻離子源 RFICP 100 應用于國產離子束濺射鍍膜機 IBSD
上海伯東美國 KRi 射頻離子源應用于國產離子束濺射鍍膜機 IBSD
上海伯東客戶某高校使用國產品牌離子束濺射鍍膜機用于金屬薄膜制備, 工藝過程中, 國產離子源鎢絲僅使用 18個小時就會燒斷, 必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲, 無法滿足長時間離子束濺射鍍膜的工藝要求, 導致薄膜質量低的情況. 客戶需要離子源的穩定工作時間不低于 48個小時, 經過伯東推薦最終改用美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100 替換原有的國產離子源, 單次工藝時間可以達到數百小時, 符合客戶長時間鍍膜的工藝要求, 維持高穩定離子束濺射工藝獲得高品質薄膜.
上海伯東真空濺射鍍膜機離子源改造方案:
根據客戶 4寸基材和工藝條件, 推薦選用射頻離子源 RFICP 100, 配置中和器 (LFN) 和自動控制器, 替換國產離子源后可以長時間工作( 時長＞100h)！
1. 設備: 國產離子束濺射鍍膜機 IBSD
2. 基材: 4寸 wafer, 鍍鉭 Ta 單層非晶薄膜
3. 美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100, 氣體：Ar gas
4. 離子源條件: Vb max:1200V ( 離子束電壓 ), Ib max:＞400mA ( 離子束電流 ).jpg)
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上海伯東射頻離子源 RFICP 100 主要技術規格:
小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流.
射頻功率 | 600W |
離子束電流 | > 400mA |
離子束電壓 | 100-1200eV |
氣體 | Ar, O2, N2,其他 |
流量 | 5-20 sccm |
工作壓力 | < 0.5mTorr |
離子束柵極 | 10cm Φ |
柵極材質 | 鉬, 石墨 |
離子束流形狀 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000 |
高度 | 23.5 cm |
直徑 | 19.1 cm |
安裝法蘭 | 10”CF 或 內置型 1”引入端子 |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領域, 上海伯東是美國 KRi考夫曼公司離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解美國 KRi 離子源詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅小姐
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