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簡介:三維石墨烯網絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長成石墨烯的三維網絡。三維石墨烯具有體表面積大,導電性佳,質量輕等特點。
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簡介:三維石墨烯網絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長成石墨烯的三維網絡。三維石墨烯具有體表面積大,導電性佳,質量輕等特點。
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簡介:維石墨烯網絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長成石墨烯的三維網絡。三維石墨烯具有體表面積大,導電性佳,質量輕等特點。
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簡介:維石墨烯網絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長成石墨烯的三維網絡。三維石墨烯具有體表面積大,導電性佳,質量輕等特點。
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簡介:材料簡介:三維石墨烯網絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長成石墨烯的三維網絡。三維石墨烯具有體表面積大,導電性佳,質量輕等特點。應用領域:1)...
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簡介:材料簡介:三維石墨烯網絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長成石墨烯的三維網絡。三維石墨烯具有體表面積大,導電性佳,質量輕等特點。應用領域:1)...
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簡介:The3DGrapheneFoamisdepositedcomformablyontoNickelfoamfoilsbychemicalvapordeposition(CVD)process.
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簡介:CVDGraphenesheetshavebeendepositedonto50micronthickCufoilsusingmodifiedchemicalvaportechnique.Inou...
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簡介:高純度黑磷晶體BlackPhosphorus-Crystal晶體結構:正斜方晶結構晶體尺寸:~10mm電學性能:半導體晶體結構:斜方晶系晶胞參數:a=0.331nm,b=1.048,c=0.437...
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簡介:高純度黑磷晶體BlackPhosphorus-Crystal晶體結構:正斜方晶結構晶體尺寸:~10mm電學性能:半導體晶體結構:斜方晶系晶胞參數:a=0.331nm,b=1.048,c=0.437...
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簡介:黑砷磷/晶體黑磷-砷合金BP-Asalloy(BlackPhosphorus-ArsenicAlloy)晶體尺寸:~mm電學性能:半導體晶體結構:斜方晶系晶胞參數:晶胞參數取決于合金中的成分。p/...
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簡介:黑磷晶體BlackPhosphorus-Crystal制備方法:化學氣相沉積法組成:黑磷外觀:片狀顆粒結構,金屬般光澤寬度:毫米級長度:1厘米包裝:真空硅膠管(8厘米)重量:200mg
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簡介:黑磷晶體BlackPhosphorus-Crystal制備方法:化學氣相沉積法組成:黑磷外觀:片狀顆粒結構,金屬般光澤寬度:毫米級長度:1厘米包裝:真空硅膠管(8厘米)重量:200mg
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簡介:黑磷粉末BlackPhosphorusPowder制備方法:化學氣相沉積法組成:黑磷粉末外觀:片狀顆粒結構,金屬般光澤顆粒尺寸:~mmx~mmx~nm(LxH)包裝:真空硅膠管(8厘米)重量:20...
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簡介:黑磷粉末BlackPhosphorusPowder制備方法:化學氣相沉積法組成:黑磷粉末外觀:片狀顆粒結構,金屬般光澤顆粒尺寸:~mmx~mmx~nm(LxH)包裝:真空硅膠管(8厘米)重量:20...
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簡介:黑磷粉末BlackPhosphorusPowder制備方法:化學氣相沉積法組成:黑磷粉末外觀:片狀顆粒結構,金屬般光澤顆粒尺寸:~mmx~mmx~nm(LxH)包裝:真空硅膠管(8厘米)重量:50...
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簡介:黑磷粉末BlackPhosphorusPowder制備方法:化學氣相沉積法組成:黑磷粉末外觀:片狀顆粒結構,金屬般光澤顆粒尺寸:~mmx~mmx~nm(LxH)包裝:真空硅膠管(8厘米)重量:50...
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