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簡介：硅基底石墨烯（1*1''單層）GrapheneonSi表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt;95%制備方法：1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯2）石墨烯從銅轉移到硅襯...

簡介：二氧化硅基底石墨烯（1*1''單層）GrapheneonSiO2表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt;95%制備方法：1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯2）石墨烯從銅...

簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm襯底：紫銅層數：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

簡介：尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

簡介：三維石墨烯網絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網絡。三維石墨烯具有體表面積大，導電性佳，質量輕等特點。

簡介：維石墨烯網絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網絡。三維石墨烯具有體表面積大，導電性佳，質量輕等特點。

簡介：材料簡介：三維石墨烯網絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網絡。三維石墨烯具有體表面積大，導電性佳，質量輕等特點。應用領域：1）...

簡介：The3DGrapheneFoamisdepositedcomformablyontoNickelfoamfoilsbychemicalvapordeposition（CVD）process.