關于SPI公司：
SPI公司(Structure Probe, Inc.)創立于1970年，創立之初以電鏡分析服務為主，1975年創立耗材部門，銷售電鏡的試片制作工具及耗材。該公司產品包括SEM、TEM、SPM甚至Laser Microscope 的耗材，儀器部分包括鍍碳鍍金機、電漿表面清潔或蝕刻機及電漿鍍鋨機等。

IV7樣品制備系統

快速制備高質量的TEM/XTEM樣品

對于開發新材料或開發樣品制備新方法的用戶，*采用IV7通用離子研磨儀。IV7具有*的研磨速度，非常適用于研究難以濺鍍的材料，例如金剛石、藍寶石等。IV7具有*的能力，通過低能離子轟擊，可以制備無損壞的、無人為干擾的樣品，并提供了*的機會，可以研究合成材料和天然材料的實際納米結構，用于所有領域的技術和材料科學研究。

IV7 TEM/XTEM樣品制備系統

低能離子源

離子源具有*的構型，讓IV7可以在整個運行范圍內均能達到較高的離子束電流密度。采用極低能的惰性氣體離子束，可以確保zui大限度地減少表面損壞和由離子束引起的無定形化。

離子源控制

所有的離子槍參數，包括加速電壓和離子束電流，均采用數字反饋環路進行自動控制，不過在樣品制備過程中仍然可以進行人工變更。離子源參數的初始數值既可以自動設定，也可以人工設定。這些參數可以由電腦連續監測并顯示。

自動運行

IV7采用全電腦控制和便于使用的圖形化界面。所有的工作參數，包括電極電壓、工作氣體流、樣品移動/傾斜，以及工藝時間和穿孔探測等其它參數，均可以保存或預編程。IV7的這種全自動特性可以制備高質量的樣品，同時將用戶的干擾降至zui小。

在線監測和支持

IV7配有在線軟件，可以通過互聯網進行實時錯誤檢測和問題解決。

規格

• 采用相同的儀器進行快速減薄和輕柔拋光/清洗

• 全自動離子源設置和離子研磨操作

• 離子能量范圍zui寬：從100 eV到20000 eV，采用超高能和低能惰性氣體離子源

• *的研磨速度：對于多晶銅，在20000 eV、45°條件下，研磨速度為1300μm/h；對于單晶硅，在16000-20000 eV、45°條件下，研磨速度為300-600μm/h

電力要求

• 100–120 V / 10 A / 50-60 Hz

• 220–240 V / 5 A / 50-60 Hz

離子源

超高能離子源

• 離子能量：2000-20000 eV，可以連續調節

• 離子電流密度：>150mA/cm 2

• 離子束電流：250 μA

• 離子束直徑：100–300 μm (FWHM)

• 研磨速度：在16000-20000 eV、45°離子束入射角度條件下，對于c-Si的研磨速度為300–600 μm/h

低能離子源

• 離子能量：100-2000 eV，可以連續調節

• 離子電流密度：zui大10mA/cm 2

• 離子束電流：7-80 mA

• 離子束直徑：750-1200 mm（FWHM）

• 研磨速度：在2000 eV、30°離子束入射角度條件下，對于c-Si的研磨速度為28 mm/h

樣品操作

• 研磨角度：0°–45°，可以電子調節，增量0.1°

• 由電腦控制的平面內旋轉和擺動（0°–120°角度范圍，可以電子調節，增量10°）

• 可以容納很大厚度范圍的TEM樣品（30-200μm）

真空系統

• Pfeiffer真空系統，帶無油薄膜和渦輪分子泵，配有緊湊式全量程皮拉尼(Pirani)/潘寧(Penning)真空計

氣體供應系統

• 純度為99.999%的氬氣，壓力1.3-1.7 bar

• 壓力調節器，采用電子出口壓力監測，用于調節惰性氣體

• 采用機動針閥，進行高精度工作氣體流控制

成像系統

• CCD攝像頭圖像，用于全可視化控制和研磨監管/終止

• 高分辨率（500萬像素）彩色CCD攝像頭

• 人工縮放視頻鏡頭，放大范圍為50-400倍

電腦控制

• 內置式工業級個人電腦

• 便于使用的圖形化界面和圖像分析模塊

• 采用機動針閥，進行自動離子源設置，包括氣體流調節

• 預編程自動設定機械和電子減薄參數（也可以人工調節）

• 自動裝載樣品

• 自動終止：

在圖像分析模塊的支持下，探測樣品穿孔或監測表面形態的演變，可視化終止研磨過程